【48812】卓胜微请求基体的反面处理方法与半导体器材的构成方法相关专利下降半导体结构制作本钱
发布人:a8直播软件    发布时间:2024-08-07 19:26:01

  金融界 2024 年 8 月 4 日音讯,天眼查知识产权信息数据显现,江苏卓胜微电子股份有限公司请求一项名为“基体的反面处理方法与半导体器材的构成方法“,公开号 CN5.5 ,请求日期为 2024 年 4 月。

  专利摘要显现,本请求公开了一种基体的反面处理方法与半导体器材的构成方法。该基体的反面处理方法有以下过程:供给基体,基体的一侧顺次具有半导体结构和阻挡层,基体的另一侧具有榜首绝缘层;选用榜首湿法刻蚀工艺去除榜首绝缘层和部分阻挡层,榜首湿法刻蚀工艺对榜首绝缘层和阻挡层具有榜首刻蚀挑选比,榜首刻蚀挑选比大于 35:1;选用该反面处理方法可以使半导体器材正面部分不被刻蚀损坏,从而省去了购买半导体结构反面刻蚀机的费用,下降了半导体结构的制作本钱。

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